
CTRL5480F-1-3R9K
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTRL5480F-1-3R9K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.9 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 30mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-3R9K.
CTRL5480F-1-3R9K hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTRL5480F-1-3R9K ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTRL5480F-1-3R9K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTRL5480F-1-3R9K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.9 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 30mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.224 Dia (5.70mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 3.9UH 800MA 30 MOHM TH |
| Serie | CTRL5480F-1 |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.337 (8.57mm) |
