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CTRL5480F-1-3R9K

CTRL5480F-1-3R9K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 3.9UH 800MA 30 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
3.9 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.224 Dia (5.70mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-1-3R9K.

Induktivität
3.9 µH

CTRL5480F-1-3R9K hat eine Induktivität von 3.9 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

CTRL5480F-1-3R9K ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

CTRL5480F-1-3R9K hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-1-3R9K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.9 µH
Toleranz±10%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom1.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.224 Dia (5.70mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.9UH 800MA 30 MOHM TH
SerieCTRL5480F-1
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.337 (8.57mm)
Merkmale-

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