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CTRL5480F-4-101K

CTRL5480F-4-101K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 100UH 2A 108 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
108mOhm Max
Abmessungen
0.449 Dia (11.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-4-101K.

Induktivität
100 µH

CTRL5480F-4-101K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

CTRL5480F-4-101K ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
108mOhm Max

CTRL5480F-4-101K hat einen DC-Widerstand von 108mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-4-101K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)108mOhm Max
Sättigungsstrom2.8A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.449 Dia (11.40mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100UH 2A 108 MOHM TH
SerieCTRL5480F-4
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.709 (18.00mm)
Merkmale-

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