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CTRL5480F-5-822K

CTRL5480F-5-822K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 8.2MH 385MA 4.3 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
8.2 mH
Nennstrom
385 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.3Ohm Max
Abmessungen
0.626 Dia (15.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTRL5480F-5-822K.

Induktivität
8.2 mH

CTRL5480F-5-822K hat eine Induktivität von 8.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
385 mA

CTRL5480F-5-822K ist für 385 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.3Ohm Max

CTRL5480F-5-822K hat einen DC-Widerstand von 4.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTRL5480F-5-822K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8.2 mH
Toleranz±10%
Nennstrom385 mA
DC-Widerstand (DCR)4.3Ohm Max
Sättigungsstrom215mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.626 Dia (15.90mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8.2MH 385MA 4.3 OHM TH
SerieCTRL5480F-5
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.701 (17.80mm)
Merkmale-

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