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CTS1F-100K

CTS1F-100K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 280MA 2.3 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
280 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm Max
Abmessungen
0.110 Dia x 0.260 L (2.80mm x 6.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS1F-100K.

Induktivität
10 µH

CTS1F-100K hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
280 mA

CTS1F-100K ist für 280 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.3Ohm Max

CTS1F-100K hat einen DC-Widerstand von 2.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS1F-100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
Nennstrom280 mA
DC-Widerstand (DCR)2.3Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.110 Dia x 0.260 L (2.80mm x 6.60mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 280MA 2.3 OHM TH
SerieCTS1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz45 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz53MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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