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CTS1F-3R3K

CTS1F-3R3K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 540MA 620 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
540 mA
DC-Widerstand (DCR)
620mOhm Max
Abmessungen
0.110 Dia x 0.260 L (2.80mm x 6.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS1F-3R3K.

Induktivität
3.3 µH

CTS1F-3R3K hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
540 mA

CTS1F-3R3K ist für 540 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
620mOhm Max

CTS1F-3R3K hat einen DC-Widerstand von 620mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS1F-3R3K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±10%
Nennstrom540 mA
DC-Widerstand (DCR)620mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen0.110 Dia x 0.260 L (2.80mm x 6.60mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 540MA 620 MOHM
SerieCTS1F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz32 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz86MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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