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CTS3F-222J

CTS3F-222J

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 2.2MH 50MA 34 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
2.2 mH
Nennstrom
50 mA
DC-Widerstand (DCR)
34Ohm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS3F-222J.

Induktivität
2.2 mH

CTS3F-222J hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA

CTS3F-222J ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
34Ohm Max

CTS3F-222J hat einen DC-Widerstand von 34Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS3F-222J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 mH
Toleranz±5%
Nennstrom50 mA
DC-Widerstand (DCR)34Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2MH 50MA 34 OHM TH
SerieCTS3F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz50 @ 250kHz
Eigenresonanzfrequenz970kHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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