Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTS3F-331J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom 110 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 6.4Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS3F-331J.
CTS3F-331J hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTS3F-331J ist für 110 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTS3F-331J hat einen DC-Widerstand von 6.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTS3F-331J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 110 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 6.4Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 330UH 110MA 6.4 OHM TH |
| Serie | CTS3F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 54 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6.5MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
