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CTS3F-5R6J

CTS3F-5R6J

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 5.6UH 335MA 720 MOHM

Technische Daten

Induktivität
5.6 µH
Nennstrom
335 mA
DC-Widerstand (DCR)
720mOhm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS3F-5R6J.

Induktivität
5.6 µH

CTS3F-5R6J hat eine Induktivität von 5.6 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
335 mA

CTS3F-5R6J ist für 335 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
720mOhm Max

CTS3F-5R6J hat einen DC-Widerstand von 720mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS3F-5R6J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität5.6 µH
Toleranz±5%
Nennstrom335 mA
DC-Widerstand (DCR)720mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 5.6UH 335MA 720 MOHM
SerieCTS3F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz47 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz65MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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