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CTS3F-821K

CTS3F-821K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 820UH 80MA 13 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
820 µH
Nennstrom
80 mA
DC-Widerstand (DCR)
13Ohm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS3F-821K.

Induktivität
820 µH

CTS3F-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
80 mA

CTS3F-821K ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13Ohm Max

CTS3F-821K hat einen DC-Widerstand von 13Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS3F-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität820 µH
Toleranz±10%
Nennstrom80 mA
DC-Widerstand (DCR)13Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.409 L (4.06mm x 10.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 820UH 80MA 13 OHM TH
SerieCTS3F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz57 @ 790kHz
Eigenresonanzfrequenz4.2MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz790 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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