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CTS4F-1R0K

CTS4F-1R0K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 2.08A 50 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.08 A
DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS4F-1R0K.

Induktivität
1 µH

CTS4F-1R0K hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.08 A

CTS4F-1R0K ist für 2.08 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
50mOhm Max

CTS4F-1R0K hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS4F-1R0K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±10%
Nennstrom2.08 A
DC-Widerstand (DCR)50mOhm Max
Sättigungsstrom2.08A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.08A 50 MOHM TH
SerieCTS4F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz42 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz156MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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