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CTS4F-2R2K

CTS4F-2R2K

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.29A 140 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.29 A
DC-Widerstand (DCR)
140mOhm Max
Abmessungen
0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS4F-2R2K.

Induktivität
2.2 µH

CTS4F-2R2K hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.29 A

CTS4F-2R2K ist für 1.29 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
140mOhm Max

CTS4F-2R2K hat einen DC-Widerstand von 140mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS4F-2R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1.29 A
DC-Widerstand (DCR)140mOhm Max
Sättigungsstrom1.29A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160 Dia x 0.449 L (4.06mm x 11.40mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.29A 140 MOHM
SerieCTS4F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz42 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz108MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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