Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTS5F-100J von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 770 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 420mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS5F-100J.
CTS5F-100J hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTS5F-100J ist für 770 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTS5F-100J hat einen DC-Widerstand von 420mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTS5F-100J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 770 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 420mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.150 Dia x 0.449 L (3.81mm x 11.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 770MA 420 MOHM TH |
| Serie | CTS5F |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 65 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 55MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
