Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTS7F-1R0M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 707 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 11mOhm, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS7F-1R0M.
CTS7F-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTS7F-1R0M ist für 707 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTS7F-1R0M hat einen DC-Widerstand von 11mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTS7F-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 707 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 11mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.300 Dia x 0.725 L (7.62mm x 18.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 707MA 11 MOHM TH |
| Serie | CTS7F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
