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CTS7F-1R0M

CTS7F-1R0M

Central Technologies

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 707MA 11 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
707 mA
DC-Widerstand (DCR)
11mOhm
Abmessungen
0.300 Dia x 0.725 L (7.62mm x 18.41mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTS7F-1R0M.

Induktivität
1 µH

CTS7F-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
707 mA

CTS7F-1R0M ist für 707 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11mOhm

CTS7F-1R0M hat einen DC-Widerstand von 11mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

CTS7F-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom707 mA
DC-Widerstand (DCR)11mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.300 Dia x 0.725 L (7.62mm x 18.41mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1UH 707MA 11 MOHM TH
SerieCTS7F
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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