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CTSCH875DF-472K

CTSCH875DF-472K

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 4.7MH 14.7 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
4.7 mH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
14.7Ohm Max
Abmessungen
0.307 Dia (7.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSCH875DF-472K.

Induktivität
4.7 mH

CTSCH875DF-472K hat eine Induktivität von 4.7 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTSCH875DF-472K ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
14.7Ohm Max

CTSCH875DF-472K hat einen DC-Widerstand von 14.7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTSCH875DF-472K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 mH
Toleranz±10%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)14.7Ohm Max
Sättigungsstrom110mA
Betriebstemperatur-
Abmessungen0.307 Dia (7.80mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 4.7MH 14.7 OHM TH
SerieCTSCH875DF
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.307 (7.80mm)
Merkmale-

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