Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSLF1255TF-681M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 µH, Nennstrom 730 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 760mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSLF1255TF-681M.
CTSLF1255TF-681M hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSLF1255TF-681M ist für 730 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSLF1255TF-681M hat einen DC-Widerstand von 760mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSLF1255TF-681M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von CTSLF1255TF-681M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 680 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 730 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 760mOhm |
| Sättigungsstrom | 430mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.492 L x 0.492 W (12.50mm x 12.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 680UH 730MA 760 MOHM |
| Serie | CTSLF1255TF |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.228 (5.80mm) |
