CTSLF1275TF-6R8N
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSLF1275TF-6R8N von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 7.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 13.1mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSLF1275TF-6R8N.
CTSLF1275TF-6R8N hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSLF1275TF-6R8N ist für 7.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSLF1275TF-6R8N hat einen DC-Widerstand von 13.1mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSLF1275TF-6R8N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 6.8 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 7.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 13.1mOhm |
| Sättigungsstrom | 5.9A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.492 L x 0.492 W (12.50mm x 12.50mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 6.8UH 7.2A 13.1 MOHM |
| Serie | CTSLF1275 |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.309 (7.85mm) |
