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CTSMDS4F-R10M

CTSMDS4F-R10M

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 100NH 26 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
-
DC-Widerstand (DCR)
26mOhm Max
Abmessungen
0.504 L x 0.238 W (12.80mm x 6.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSMDS4F-R10M.

Induktivität
100 nH

CTSMDS4F-R10M hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
-

CTSMDS4F-R10M ist für - ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
26mOhm Max

CTSMDS4F-R10M hat einen DC-Widerstand von 26mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTSMDS4F-R10M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±20%
Nennstrom-
DC-Widerstand (DCR)26mOhm Max
Sättigungsstrom3A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.504 L x 0.238 W (12.80mm x 6.05mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 100NH 26 MOHM SMD
SerieCTSMDS4F
ProduktstatusObsolete
Typ / Aufbau-
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz50 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz400MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.228 (5.80mm)
Merkmale-

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