CTSPT20LF-112M
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSPT20LF-112M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.1 µH, Nennstrom 3.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 11mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSPT20LF-112M.
CTSPT20LF-112M hat eine Induktivität von 1.1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSPT20LF-112M ist für 3.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSPT20LF-112M hat einen DC-Widerstand von 11mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSPT20LF-112M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 11mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.340 L x 0.340 W (8.64mm x 8.64mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 1.1UH 3.4A 11 MOHM SMD |
| Serie | CTSPT-L |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.270 (6.86mm) |
