CTSPT30LF-522M
Central Technologies
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTSPT30LF-522M von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 5.2 µH, Nennstrom 4.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 17mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTSPT30LF-522M.
CTSPT30LF-522M hat eine Induktivität von 5.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTSPT30LF-522M ist für 4.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTSPT30LF-522M hat einen DC-Widerstand von 17mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTSPT30LF-522M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 5.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 17mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.440 L x 0.435 W (11.18mm x 11.05mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 5.2UH 4.8A 17 MOHM SMD |
| Serie | CTSPT-L |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.378 (9.60mm) |
