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CTTF0402F-1N8B

CTTF0402F-1N8B

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.8NH 560MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.8 nH
Nennstrom
560 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTTF0402F-1N8B.

Induktivität
1.8 nH

CTTF0402F-1N8B hat eine Induktivität von 1.8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
560 mA

CTTF0402F-1N8B ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

CTTF0402F-1N8B hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTTF0402F-1N8B verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.8 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom560 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.8NH 560MA 200 MOHM
SerieCTTF0402F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.016" (0.40mm)
Merkmale-

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