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CTTF0603F-1N2C

CTTF0603F-1N2C

Central Technologies

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1.2UH 800MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTTF0603F-1N2C.

Induktivität
1.2 µH

CTTF0603F-1N2C hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

CTTF0603F-1N2C ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

CTTF0603F-1N2C hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

CTTF0603F-1N2C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±0.2nH
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 800MA 200 MOHM
SerieCTTF0603F
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz17 @ 300MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz300 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.022" (0.55mm)
Merkmale-

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