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CTVF-1-100K-10

CTVF-1-100K-10

Central Technologies

Radial, Vertical Cylinder

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTVF-1-100K-10 von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Gleichstromwiderstand (DCR) 13mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max
Abmessungen
0.630 Dia (16.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTVF-1-100K-10.

Induktivität
10 µH

CTVF-1-100K-10 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

DC-Widerstand (DCR)
13mOhm Max

CTVF-1-100K-10 hat einen DC-Widerstand von 13mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

CTVF-1-100K-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±10%
DC-Widerstand (DCR)13mOhm Max
Sättigungsstrom10.9A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.630 Dia (16.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10UH 13 MOHM TH
SerieCTVF-0
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz15.75 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.098 (27.90mm)