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CTX150-2-52-R

Eaton - Electronics Division

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 150UH 4.3A 71.9 MOHM

Technische Daten

Induktivität
150 µH
Nennstrom
4.3 A
DC-Widerstand (DCR)
71.9mOhm Max
Abmessungen
1.205" Dia x 0.441" W (30.60mm x 11.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX150-2-52-R.

Induktivität
150 µH

CTX150-2-52-R hat eine Induktivität von 150 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.3 A

CTX150-2-52-R ist für 4.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
71.9mOhm Max

CTX150-2-52-R hat einen DC-Widerstand von 71.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

CTX150-2-52-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität150 µH
Toleranz±20%
Nennstrom4.3 A
DC-Widerstand (DCR)71.9mOhm Max
Sättigungsstrom4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 75°C
Abmessungen1.205" Dia x 0.441" W (30.60mm x 11.20mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 150UH 4.3A 71.9 MOHM
SerieCTX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

Vorschau