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CTX32T-121-R

Eaton - Electronics Division

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 70MA 11 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
70 mA
DC-Widerstand (DCR)
11Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTX32T-121-R.

Induktivität
120 µH

CTX32T-121-R hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
70 mA

CTX32T-121-R ist für 70 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
11Ohm Max

CTX32T-121-R hat einen DC-Widerstand von 11Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTX32T-121-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±10%
Nennstrom70 mA
DC-Widerstand (DCR)11Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 120UH 70MA 11 OHM SMD
Serie1210
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz10MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087" (2.20mm)

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