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CTLQ1210NF-121K

CTLQ1210NF-121K

Central Technologies

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 120UH 75MA 8 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
120 µH
Nennstrom
75 mA
DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max
Abmessungen
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTLQ1210NF-121K.

Induktivität
120 µH

CTLQ1210NF-121K hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
75 mA

CTLQ1210NF-121K ist für 75 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
8Ohm Max

CTLQ1210NF-121K hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

CTLQ1210NF-121K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität120 µH
Toleranz±10%
Nennstrom75 mA
DC-Widerstand (DCR)8Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-25°C ~ 85°C
Abmessungen0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 120UH 75MA 8 OHM SMD
SerieCTLQ1210NF
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz7.5MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.087 (2.20mm)
Merkmale-

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