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CV201210-1R0K

CV201210-1R0K

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 50MA 400 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
50 mA
DC-Widerstand (DCR)
400mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CV201210-1R0K.

Induktivität
1 µH

CV201210-1R0K hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA

CV201210-1R0K ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
400mOhm Max

CV201210-1R0K hat einen DC-Widerstand von 400mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CV201210-1R0K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±10%
Nennstrom50 mA
DC-Widerstand (DCR)400mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 1UH 50MA 400 MOHM SMD
SerieCV201210
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz45 @ 10MHz
Eigenresonanzfrequenz75MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)
Merkmale-

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