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CW201212-82NJ

CW201212-82NJ

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82NH 500MA 320 MOHM

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
500 mA
DC-Widerstand (DCR)
320mOhm
Abmessungen
0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CW201212-82NJ.

Induktivität
82 nH

CW201212-82NJ hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
500 mA

CW201212-82NJ ist für 500 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
320mOhm

CW201212-82NJ hat einen DC-Widerstand von 320mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CW201212-82NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±5%
Nennstrom500 mA
DC-Widerstand (DCR)320mOhm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 82NH 500MA 320 MOHM
SerieCW201212
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz1.35GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)
Merkmale-

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