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CW201212-R33J

CW201212-R33J

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 200MA 1.65 OHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.65Ohm
Abmessungen
0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CW201212-R33J.

Induktivität
330 nH

CW201212-R33J hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

CW201212-R33J ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.65Ohm

CW201212-R33J hat einen DC-Widerstand von 1.65Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CW201212-R33J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)1.65Ohm
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 330NH 200MA 1.65 OHM
SerieCW201212
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz800MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)
Merkmale-

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