CWF2012A-8R2K

CWF2012A-8R2K

Bourns Inc.

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CWF2012A-8R2K von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 295 mA Max, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.33Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
295 mA Max
DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm Max
Abmessungen
0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CWF2012A-8R2K.

Induktivität
8.2 µH

CWF2012A-8R2K hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
295 mA Max

CWF2012A-8R2K ist für 295 mA Max ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.33Ohm Max

CWF2012A-8R2K hat einen DC-Widerstand von 1.33Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

CWF2012A-8R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von CWF2012A-8R2K weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±10%
Nennstrom295 mA Max
DC-Widerstand (DCR)1.33Ohm Max
Sättigungsstrom295mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.094" L x 0.063" W (2.40mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 1.33 OHM SMD
SerieCWF2012A
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz33MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

Vorschau

PDF öffnen