Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil IC0805A822R-10 von Laird. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 15 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.1Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für IC0805A822R-10.
IC0805A822R-10 hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
IC0805A822R-10 ist für 15 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
IC0805A822R-10 hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
IC0805A822R-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 15 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Laird |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 15MA 1.1 OHM SMD |
| Serie | IC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 4MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 26MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 4 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.057 (1.45mm) |
