Beschreibung
FIXED IND 820NH 11.5A 9.5 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für ECS-HCMPI-0402LRQ-R82M-T.
ECS-HCMPI-0402LRQ-R82M-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
ECS-HCMPI-0402LRQ-R82M-T ist für 11.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
ECS-HCMPI-0402LRQ-R82M-T hat einen DC-Widerstand von 9.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
ECS-HCMPI-0402LRQ-R82M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1616 (4040 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 11.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9.5mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 9A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.161 L x 0.161 W (4.10mm x 4.10mm) |
| Gehäuse / Größe | 1616 (4040 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1616 (4040 Metric) |
| Lieferant | ECS |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 11.5A 9.5 MOHM |
| Serie | ECS-HCMPI-0402LRQ |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | - |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | - |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.083 (2.10mm) |
| Merkmale | - |
