Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil FCI1005F-1R8M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 15 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.45Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FCI1005F-1R8M.
FCI1005F-1R8M hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
FCI1005F-1R8M ist für 15 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
FCI1005F-1R8M hat einen DC-Widerstand von 1.45Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
FCI1005F-1R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 15 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.45Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 15MA 1.45 OHM |
| Serie | FCI1005F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 10MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 30MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.024" (0.60mm) |
