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FP1005R1-R15-R

FP1005R1-R15-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 150NH 53A 0.39 MOHM

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
53 A
DC-Widerstand (DCR)
0.39mOhm
Abmessungen
0.402" L x 0.276" W (10.20mm x 7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für FP1005R1-R15-R.

Induktivität
150 nH

FP1005R1-R15-R hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
53 A

FP1005R1-R15-R ist für 53 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.39mOhm

FP1005R1-R15-R hat einen DC-Widerstand von 0.39mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

FP1005R1-R15-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.6.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±10%
Nennstrom53 A
DC-Widerstand (DCR)0.39mOhm
Sättigungsstrom47A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.402" L x 0.276" W (10.20mm x 7.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 150NH 53A 0.39 MOHM
SerieFLAT-PAC, FP1005
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.195" (4.95mm)
Merkmale-

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