Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GT10-109BLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 152 µH, Nennstrom 4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GT10-109BLF.
GT10-109BLF hat eine Induktivität von 152 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
GT10-109BLF ist für 4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
GT10-109BLF hat einen DC-Widerstand von 70mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
GT10-109BLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 152 µH |
| Toleranz | -12%, +30% |
| Nennstrom | 4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 70mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.250" L x 0.700" W (31.75mm x 17.78mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 152UH 4A 70 MOHM TH |
| Serie | GT10 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial, Vertical (Open) |
| Höhe - sitzend (max.) | 1.330" (33.78mm) |




