Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil GT10-113LF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 160 µH, Nennstrom 5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für GT10-113LF.
GT10-113LF hat eine Induktivität von 160 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
GT10-113LF ist für 5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
GT10-113LF hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
GT10-113LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von GT10-113LF weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 160 µH |
| Toleranz | -12%, +30% |
| Nennstrom | 5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.480" Dia x 0.600" W (37.59mm x 15.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 160UH 5A 50 MOHM TH |
| Serie | GT10 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial, Vertical (Open) |
