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HBWS1005-2N4S

HBWS1005-2N4S

Max Echo

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.4NH 790MA 68 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.4 nH
Nennstrom
790 mA
DC-Widerstand (DCR)
68mOhm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-2N4S.

Induktivität
2.4 nH

HBWS1005-2N4S hat eine Induktivität von 2.4 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
790 mA

HBWS1005-2N4S ist für 790 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
68mOhm Max

HBWS1005-2N4S hat einen DC-Widerstand von 68mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HBWS1005-2N4S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität2.4 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom790 mA
DC-Widerstand (DCR)68mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 2.4NH 790MA 68 MOHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.020" (0.50mm)

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