Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HBWS1005-75NJ von Max Echo. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 75 nH, Nennstrom 160 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.2Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-75NJ.
HBWS1005-75NJ hat eine Induktivität von 75 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HBWS1005-75NJ ist für 160 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HBWS1005-75NJ hat einen DC-Widerstand von 1.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HBWS1005-75NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 75 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 160 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.2Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | Max Echo |
| Beschreibung | FIXED IND 75NH 160MA 1.2 OHM SMD |
| Serie | HBWS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 20 @ 150MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.55GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 150 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 (1005 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.020" (0.50mm) |
