Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MGCI1005T82NJT-LF von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 82 nH, Nennstrom 150 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.1Ohm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGCI1005T82NJT-LF.
MGCI1005T82NJT-LF hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MGCI1005T82NJT-LF ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MGCI1005T82NJT-LF hat einen DC-Widerstand von 2.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MGCI1005T82NJT-LF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 82 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 150 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.040 L x 0.022 W (1.02mm x 0.55mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 82 NH 150 MA 2.1 OHM |
| Serie | MGCI1005T |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 600MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.020 (0.50mm) |
