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HBWS1005-82NJ

HBWS1005-82NJ

Max Echo

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82NH 150MA 1.25 OHM

Technische Daten

Induktivität
82 nH
Nennstrom
150 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.25Ohm Max
Abmessungen
0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-82NJ.

Induktivität
82 nH

HBWS1005-82NJ hat eine Induktivität von 82 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
150 mA

HBWS1005-82NJ ist für 150 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.25Ohm Max

HBWS1005-82NJ hat einen DC-Widerstand von 1.25Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HBWS1005-82NJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität82 nH
Toleranz±5%
Nennstrom150 mA
DC-Widerstand (DCR)1.25Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 82NH 150MA 1.25 OHM
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 150MHz
Eigenresonanzfrequenz1.5GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz150 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.020" (0.50mm)

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