Beschreibung
FIXED IND 8.2NH 680MA 104 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1005-8N2S.
HBWS1005-8N2S hat eine Induktivität von 8.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HBWS1005-8N2S ist für 680 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HBWS1005-8N2S hat einen DC-Widerstand von 104mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HBWS1005-8N2S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von HBWS1005-8N2S weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 680 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 104mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.022" W (1.00mm x 0.55mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | Max Echo |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2NH 680MA 104 MOHM |
| Serie | HBWS |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 250MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.4GHz |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 (1005 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.020" (0.50mm) |
