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CTTF0402F-8N0B

CTTF0402F-8N0B

Central Technologies

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 8NH 220MA 1.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
8 nH
Nennstrom
220 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTTF0402F-8N0B.

Induktivität
8 nH

CTTF0402F-8N0B hat eine Induktivität von 8 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
220 mA

CTTF0402F-8N0B ist für 220 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.1Ohm Max

CTTF0402F-8N0B hat einen DC-Widerstand von 1.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

CTTF0402F-8N0B verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität8 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom220 mA
DC-Widerstand (DCR)1.1Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 8NH 220MA 1.1 OHM SMD
SerieCTTF0402F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauThin Film
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz13 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz5.5GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz500 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.016 (0.40mm)
Merkmale-

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