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HBWS1608-2N0S

HBWS1608-2N0S

Max Echo

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2NH 700MA 80 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2 nH
Nennstrom
700 mA
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HBWS1608-2N0S.

Induktivität
2 nH

HBWS1608-2N0S hat eine Induktivität von 2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
700 mA

HBWS1608-2N0S ist für 700 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

HBWS1608-2N0S hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

HBWS1608-2N0S verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.7.2026
Induktivität2 nH
Toleranz±0.3nH
Nennstrom700 mA
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063" L x 0.041" W (1.60mm x 1.05mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMax Echo
BeschreibungFIXED IND 2NH 700MA 80 MOHM SMD
SerieHBWS
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz6.9GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.041" (1.05mm)

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