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MTF0603HW2R2KST

MTF0603HW2R2KST

Microgate Technology

0603 (1608 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0603HW2R2KST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 nH, Nennstrom 580 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 560mOhm, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.2 nH
Nennstrom
580 mA
DC-Widerstand (DCR)
560mOhm
Abmessungen
0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0603HW2R2KST.

Induktivität
2.2 nH

MTF0603HW2R2KST hat eine Induktivität von 2.2 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
580 mA

MTF0603HW2R2KST ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
560mOhm

MTF0603HW2R2KST hat einen DC-Widerstand von 560mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

MTF0603HW2R2KST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 20.8.2026
Induktivität2.2 nH
Toleranz±10%
Nennstrom580 mA
DC-Widerstand (DCR)560mOhm
Sättigungsstrom600mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.063 L x 0.039 W (1.60mm x 1.00mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantMicrogate Technology
BeschreibungFIXED IND 2200 NH 580 MA 0.56 OH
SerieMTF0603HW
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz16 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz85MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)

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