Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HCI1005FQ-3N0S-MS8 von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 120mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCI1005FQ-3N0S-MS8.
HCI1005FQ-3N0S-MS8 hat eine Induktivität von 3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HCI1005FQ-3N0S-MS8 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HCI1005FQ-3N0S-MS8 hat einen DC-Widerstand von 120mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HCI1005FQ-3N0S-MS8 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 nH |
| Toleranz | ±0.3nH |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 120mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 0402 (1005 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0402 (1005 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 3NH 800MA 120 MOHM SMD |
| Serie | HCI1005FQ-M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 8 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0402 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.026" (0.65mm) |
