Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HCM1A1305V2-100-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 7.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 20.9mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1A1305V2-100-R.
HCM1A1305V2-100-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HCM1A1305V2-100-R ist für 7.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HCM1A1305V2-100-R hat einen DC-Widerstand von 20.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HCM1A1305V2-100-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 20.9mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 13A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.530" L x 0.496" W (13.45mm x 12.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 7.5A 20.9 MOHM |
| Serie | HCM1AV2 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 8MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.197" (5.00mm) |
