Beschreibung
FIXED IND 33UH 11A 15.5 MOHM SMD
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCM1A2213V2-330-R.
HCM1A2213V2-330-R hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
HCM1A2213V2-330-R ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
HCM1A2213V2-330-R hat einen DC-Widerstand von 15.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
HCM1A2213V2-330-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 11 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 15.5mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 16A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.885" L x 0.866" W (22.48mm x 22.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 33UH 11A 15.5 MOHM SMD |
| Serie | HCM1AV2 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | - |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | - |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.512" (13.00mm) |
| Merkmale | - |
