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HCMA1104-100-R

HCMA1104-100-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 7.5A 30 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
7.5 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.437" L x 0.394" W (11.10mm x 10.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCMA1104-100-R.

Induktivität
10 µH

HCMA1104-100-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
7.5 A

HCMA1104-100-R ist für 7.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

HCMA1104-100-R hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

HCMA1104-100-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom7.5 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom8.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.437" L x 0.394" W (11.10mm x 10.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 7.5A 30 MOHM SMD
SerieHCMA1104
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.157" (4.00mm)
Merkmale-

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