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HCMA1305-100-R

HCMA1305-100-R

Eaton - Electronics Division

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 9A 21.9 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
9 A
DC-Widerstand (DCR)
21.9mOhm Max
Abmessungen
0.524" L x 0.480" W (13.30mm x 12.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HCMA1305-100-R.

Induktivität
10 µH

HCMA1305-100-R hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9 A

HCMA1305-100-R ist für 9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
21.9mOhm Max

HCMA1305-100-R hat einen DC-Widerstand von 21.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

HCMA1305-100-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom9 A
DC-Widerstand (DCR)21.9mOhm Max
Sättigungsstrom16A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.524" L x 0.480" W (13.30mm x 12.20mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 10UH 9A 21.9 MOHM SMD
SerieHCMA1305
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialIron Powder
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.197" (5.00mm)
Merkmale-

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