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HL02120GTTR

HL02120GTTR

KYOCERA AVX

0402 (1005 Metric)

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil HL02120GTTR von KYOCERA AVX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 210 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 756mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
12 nH
Nennstrom
210 mA
DC-Widerstand (DCR)
756mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HL02120GTTR.

Induktivität
12 nH

HL02120GTTR hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
210 mA

HL02120GTTR ist für 210 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
756mOhm Max

HL02120GTTR hat einen DC-Widerstand von 756mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HL02120GTTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität12 nH
Toleranz±2%
Nennstrom210 mA
DC-Widerstand (DCR)756mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 12NH 210MA 756 MOHM
SerieMLO™
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz32 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz3.08GHz
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.018 (0.45mm)