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HL023R0BTTR

HL023R0BTTR

KYOCERA AVX

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3NH 324MA 245 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3 nH
Nennstrom
324 mA
DC-Widerstand (DCR)
245mOhm Max
Abmessungen
0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für HL023R0BTTR.

Induktivität
3 nH

HL023R0BTTR hat eine Induktivität von 3 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
324 mA

HL023R0BTTR ist für 324 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
245mOhm Max

HL023R0BTTR hat einen DC-Widerstand von 245mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

HL023R0BTTR verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 30.6.2026
Induktivität3 nH
Toleranz±0.1nH
Nennstrom324 mA
DC-Widerstand (DCR)245mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.039 L x 0.023 W (1.00mm x 0.58mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantKYOCERA AVX
BeschreibungFIXED IND 3NH 324MA 245 MOHM SMD
SerieMLO™
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
KernmaterialNon-Magnetic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz27 @ 450MHz
Eigenresonanzfrequenz7.9GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz450 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.018 (0.45mm)
Merkmale-

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